 
IRFH7440TRPBF Infineon Technologies
 Виробник: Infineon Technologies
                                                Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 4000+ | 31.24 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH7440TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025). 
Інші пропозиції IRFH7440TRPBF за ціною від 13.30 грн до 147.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 8000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 8000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 1302 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 8000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 1673 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 8000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 1484 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 81 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6 Case: PQFN5X6 Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Trade name: StrongIRFET Polarisation: unipolar Gate charge: 92nC On-state resistance: 2.4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 104W Drain current: 85A Kind of package: reel | на замовлення 3271 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V | на замовлення 13559 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6 Case: PQFN5X6 Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Trade name: StrongIRFET Polarisation: unipolar Gate charge: 92nC On-state resistance: 2.4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 104W Drain current: 85A Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3271 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  MOSFETs 40V 85A 2.4mOhm 92nC STrongIRFET | на замовлення 6297 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 7570 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 7570 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 81 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 173 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 100 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
|   | IRFH7440TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності |