IRFH7440TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH7440TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 2400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFH7440TRPBF за ціною від 30.52 грн до 134.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH7440TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 85A Power dissipation: 104W Case: PQFN5X6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET |
на замовлення 3134 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V |
на замовлення 6493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 85A 2.4mOhm 92nC STrongIRFET |
на замовлення 3222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH7440TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 2400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 99 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFH7440TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 47.24 грн |
| IRFH7440TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 47.24 грн |
| IRFH7440TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 111.45 грн |
| 10+ | 82.83 грн |
| IRFH7440TRPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 114.21 грн |
| 6+ | 83.99 грн |
| 10+ | 72.96 грн |
| 50+ | 65.33 грн |
| IRFH7440TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V
на замовлення 6493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.87 грн |
| 10+ | 77.58 грн |
| 100+ | 52.09 грн |
| 500+ | 38.60 грн |
| 1000+ | 35.29 грн |
| 2000+ | 32.82 грн |
| IRFH7440TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 85A 2.4mOhm 92nC STrongIRFET
MOSFETs 40V 85A 2.4mOhm 92nC STrongIRFET
на замовлення 3222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.21 грн |
| 10+ | 83.49 грн |
| 100+ | 48.70 грн |
| 500+ | 38.41 грн |
| 1000+ | 35.17 грн |
| 2000+ | 32.70 грн |
| 4000+ | 30.52 грн |
| IRFH7440TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 2400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 2400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 134.03 грн |
| 50+ | 82.23 грн |
| 250+ | 58.88 грн |
| 1000+ | 39.48 грн |
| 2000+ | 35.66 грн |
| IRFH7440TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFH7440TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFH7440TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)