IRFH7446TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 47.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH7446TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFH7446TRPBF за ціною від 37.11 грн до 121.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 1136000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 526000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 588000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 85A 3.3mOhm 65nC StrongIRFET |
на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7446TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRFH7446TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 117A; 78W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 117A Power dissipation: 78W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Gate charge: 65nC On-state resistance: 3.3mΩ Trade name: StrongIRFET Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |