IRFH7545TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 25.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH7545TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7545TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 5200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFH7545TRPBF за ціною від 35.09 грн до 120.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH7545TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7545TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7545TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7545TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 5200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7545TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 6868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7545TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 85A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 25 V |
на замовлення 3430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7545TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7545TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 5200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7545TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet |
на замовлення 4211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7545TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH7545TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH7545TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH7545TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 85A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |