IRFH7911TRPBF Infineon / IR


irfh7911pbf-1228409.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 8.6mOhms 8.3nC
на замовлення 2196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH7911TRPBF Infineon / IR

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 18-PowerVQFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.4W, 3.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 28A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6).

Інші пропозиції IRFH7911TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFH7911TRPBF irfh7911pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f3e731efa
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7911TRPBF irfh7911pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f3e731efa
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.