IRFH7914TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 13.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH7914TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRFH7914TRPBF за ціною від 16.48 грн до 51.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH7914TRPBF | Виробник : International Rectifier |
 Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V |
на замовлення 3375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7914TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7914TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7914TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC |
на замовлення 2054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7914TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH7914TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRFH7914TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 3.1W; PQFN5X6 Mounting: SMD Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH7914TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 3.1W; PQFN5X6 Mounting: SMD Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |