IRFH7932TR2PBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH7932TR2PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Cut Tape (CT).
Інші пропозиції IRFH7932TR2PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRFH7932TR2PBF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 24A 3.3mOhm 34nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFH7932TR2PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 24A 3.3mOhm 34nC
MOSFET MOSFT 30V 24A 3.3mOhm 34nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



