Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH7932TRPBF
IRFH7932TRPBF

IRFH7932TRPBF Infineon Technologies

irfh7932pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f59df1f02
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
406+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH7932TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.4W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRFH7932TRPBF за ціною від 47.78 грн до 63.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFH7932TRPBF IRFH7932TRPBF Infineon Technologies infineonirfh7932datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
564+62.31 грн
1000+57.46 грн
10000+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 564 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF IRFH7932TRPBF Infineon Technologies infineonirfh7932datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
564+62.31 грн
1000+57.46 грн
Мінімальне замовлення: 564 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF IRFH7932TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh7932-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+63.22 грн
233+60.41 грн
247+56.95 грн
1000+47.78 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF IRFH7932TRPBF INFINEON irfh7932pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f59df1f02 description Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF IRFH7932TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH7932_DataSheet_v01_01_EN-3363061.pdf description MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC
на замовлення 4484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF IRFH7932TRPBF INFINEON irfh7932pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f59df1f02 description Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF description infineonirfh7932datasheetv0101en.pdf
IRFH7932TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
564+62.31 грн
1000+57.46 грн
10000+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 564 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF description infineonirfh7932datasheetv0101en.pdf
IRFH7932TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
564+62.31 грн
1000+57.46 грн
Мінімальне замовлення: 564 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF description infineon-irfh7932-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFH7932TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
223+63.22 грн
233+60.41 грн
247+56.95 грн
1000+47.78 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF description irfh7932pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f59df1f02
IRFH7932TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF description Infineon_IRFH7932_DataSheet_v01_01_EN-3363061.pdf
IRFH7932TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC
на замовлення 4484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF description irfh7932pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f59df1f02
IRFH7932TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.