IRFH7932TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 28.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH7932TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.4W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRFH7932TRPBF за ціною від 29.30 грн до 107.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH7932TRPBF | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0025 ohm, QFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7932TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7932TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V |
на замовлення 4084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7932TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7932TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7932TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC |
на замовлення 4484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7932TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7932TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH7932TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |