Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8201TRPBF
IRFH8201TRPBF

IRFH8201TRPBF Infineon Technologies

277821047762768irfh8201pbf.pdffileid5546d462533600a40153561f75651f0a.pdffileid55.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8201TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRFH8201TRPBF за ціною від 43.13 грн до 177.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : INFINEON irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.72 грн
500+59.54 грн
1000+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
111+110.83 грн
118+103.71 грн
144+85.20 грн
200+78.34 грн
500+72.26 грн
1000+69.29 грн
2000+69.11 грн
4000+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V
на замовлення 3556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.55 грн
10+99.47 грн
100+68.30 грн
500+50.70 грн
1000+46.59 грн
2000+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : INFINEON irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.31 грн
10+116.37 грн
100+79.72 грн
500+59.54 грн
1000+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH8201_DataSheet_v02_04_EN-3363358.pdf MOSFETs MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.67 грн
10+113.37 грн
100+66.95 грн
250+66.65 грн
500+53.48 грн
1000+47.89 грн
2500+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8201TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 324A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 324A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8201TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 324A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 324A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.