Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8201TRPBF
IRFH8201TRPBF

IRFH8201TRPBF Infineon Technologies

irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8201TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 156W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm.

Інші пропозиції IRFH8201TRPBF за ціною від 46.11 грн до 166.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Infineon Technologies infineonirfh8201datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Infineon Technologies infineonirfh8201datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+59.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+88.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Infineon Technologies infineonirfh8201datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 19027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.43 грн
500+89.50 грн
1000+82.54 грн
10000+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.18 грн
118+119.95 грн
144+98.55 грн
200+90.61 грн
500+83.58 грн
1000+80.14 грн
2000+79.94 грн
4000+72.68 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Infineon Technologies irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V
на замовлення 7947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.58 грн
10+102.95 грн
100+69.99 грн
500+52.46 грн
1000+48.20 грн
2000+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF INFINEON 2333713.pdf Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 7680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFH8201-DataSheet-v02_04-EN.pdf MOSFETs MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF INFINEON 2333713.pdf Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 7680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf
IRFH8201TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF infineonirfh8201datasheetv0204en.pdf
IRFH8201TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF infineonirfh8201datasheetv0204en.pdf
IRFH8201TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+59.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf
IRFH8201TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+88.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF infineonirfh8201datasheetv0204en.pdf
IRFH8201TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 19027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
355+99.43 грн
500+89.50 грн
1000+82.54 грн
10000+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf
IRFH8201TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+128.18 грн
118+119.95 грн
144+98.55 грн
200+90.61 грн
500+83.58 грн
1000+80.14 грн
2000+79.94 грн
4000+72.68 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a
IRFH8201TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V
на замовлення 7947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.58 грн
10+102.95 грн
100+69.99 грн
500+52.46 грн
1000+48.20 грн
2000+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF 2333713.pdf
IRFH8201TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 7680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF Infineon-IRFH8201-DataSheet-v02_04-EN.pdf
IRFH8201TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF 2333713.pdf
IRFH8201TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 7680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.