IRFH8201TRPBF

IRFH8201TRPBF Infineon Technologies


277821047762768irfh8201pbf.pdffileid5546d462533600a40153561f75651f0a.pdffileid55.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8201TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRFH8201TRPBF за ціною від 46.57 грн до 177.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+46.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : INFINEON irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.53 грн
500+59.40 грн
1000+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
111+110.56 грн
118+103.46 грн
144+85.00 грн
200+78.15 грн
500+72.09 грн
1000+69.12 грн
2000+68.95 грн
4000+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V
на замовлення 3556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.52 грн
10+94.64 грн
100+66.30 грн
500+49.70 грн
1000+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : INFINEON irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+172.89 грн
10+116.08 грн
100+79.53 грн
500+59.40 грн
1000+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH8201_DataSheet_v02_04_EN-3363358.pdf MOSFETs MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.24 грн
10+113.10 грн
100+66.79 грн
250+66.49 грн
500+53.36 грн
1000+47.78 грн
2500+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a IRFH8201TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.