Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8202TRPBF
IRFH8202TRPBF

IRFH8202TRPBF Infineon Technologies

Infineon_IRFH8202_DataSheet_v02_04_EN-1228371.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 199-208 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.62 грн
10+123.78 грн
100+91.98 грн
500+80.89 грн
1000+76.32 грн
2000+74.36 грн
4000+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 199-208 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8202TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V.

Інші пропозиції IRFH8202TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFH8202TRPBF IRFH8202TRPBF INFINEON INFN-S-A0011842161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8202TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 47 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 47
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8202TRPBF INFN-S-A0011842161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8202TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8202TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 47 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 47
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.