Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8202TRPBF
IRFH8202TRPBF

IRFH8202TRPBF Infineon Technologies

Infineon_IRFH8202_DataSheet_v02_04_EN-1228371.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.05 грн
10+139.60 грн
100+103.73 грн
500+91.22 грн
1000+86.07 грн
2000+83.87 грн
4000+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8202TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V.

Інші пропозиції IRFH8202TRPBF за ціною від 137.82 грн до 158.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH8202TRPBF IRFH8202TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0011842161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8202TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 47 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 47
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.45 грн
10+137.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8202TRPBF IRFH8202TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8202-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 47A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8202TRPBF IRFH8202TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8202pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f7c351f0c Description: MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8202TRPBF IRFH8202TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8202pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f7c351f0c Description: MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.