IRFH8303TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 57.73 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH8303TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 3.7W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.
Інші пропозиції IRFH8303TRPBF за ціною від 38.75 грн до 132.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 688000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V |
на замовлення 481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N-CH 30V 100A PQFN |
на замовлення 1924 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH8303TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 3.7W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IRFH8303TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 3.7W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFH8303TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 57.90 грн |
| IRFH8303TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 688000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 79.74 грн |
| IRFH8303TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 433+ | 82.44 грн |
| 500+ | 78.94 грн |
| 1000+ | 74.56 грн |
| IRFH8303TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 433+ | 82.44 грн |
| 500+ | 78.94 грн |
| 1000+ | 74.56 грн |
| IRFH8303TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V
Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 118.27 грн |
| 10+ | 90.00 грн |
| 100+ | 65.43 грн |
| IRFH8303TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 115+ | 124.62 грн |
| 127+ | 113.20 грн |
| 156+ | 91.99 грн |
| 200+ | 82.93 грн |
| 500+ | 65.66 грн |
| 1000+ | 61.73 грн |
| 2000+ | 60.42 грн |
| IRFH8303TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
MOSFETs MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.42 грн |
| 10+ | 91.52 грн |
| 100+ | 58.32 грн |
| 500+ | 47.55 грн |
| 1000+ | 46.51 грн |
| 2000+ | 45.60 грн |
| 4000+ | 38.75 грн |
| IRFH8303TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFH8303TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFH8303TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)