Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8303TRPBF
IRFH8303TRPBF

IRFH8303TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh8303-datasheet-v02_05-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8303TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.7W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFH8303TRPBF за ціною від 45.24 грн до 154.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF Виробник : Infineon Technologies 277913437043815irfh8303pbf.pdffileid5546d462533600a40153561f84a41f0e.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8303-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+53.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8303-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 688000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+68.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8303-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
433+70.49 грн
500+67.50 грн
1000+63.75 грн
Мінімальне замовлення: 433
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8303-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
433+70.49 грн
500+67.50 грн
1000+63.75 грн
Мінімальне замовлення: 433
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8303-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+106.56 грн
127+96.79 грн
156+78.66 грн
200+70.91 грн
500+56.14 грн
1000+52.78 грн
2000+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f84a41f0e Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.06 грн
10+95.92 грн
100+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF Виробник : INFINEON 2333714.pdf Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.14 грн
10+101.68 грн
100+76.90 грн
500+56.49 грн
1000+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFH8303-DataSheet-v02_05-EN.pdf MOSFETs MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.61 грн
10+106.86 грн
100+68.09 грн
500+55.52 грн
1000+54.31 грн
2000+53.24 грн
4000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF Виробник : INFINEON 2333714.pdf Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8303-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8303-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8303-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCC4A9449955EA&compId=IRFH8303TRPBF.pdf?ci_sign=c05fd83e2320fd73815a9bd83f945615e1e10f47 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 280A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 280A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f84a41f0e Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCC4A9449955EA&compId=IRFH8303TRPBF.pdf?ci_sign=c05fd83e2320fd73815a9bd83f945615e1e10f47 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 280A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 280A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.