IRFH8303TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 50.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH8303TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.7W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFH8303TRPBF за ціною від 45.58 грн до 155.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH8303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH8303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH8303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 688000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH8303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH8303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH8303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH8303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V |
на замовлення 481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH8303TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH8303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N-CH 30V 100A PQFN |
на замовлення 1924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH8303TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH8303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH8303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH8303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH8303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V |
товару немає в наявності |