IRFH8307TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 228+ | 61.84 грн |
| 231+ | 60.91 грн |
| 235+ | 59.97 грн |
| 239+ | 56.92 грн |
| 250+ | 51.86 грн |
| 500+ | 48.99 грн |
| 1000+ | 48.18 грн |
| 3000+ | 47.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH8307TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IRFH8307TRPBF за ціною від 47.37 грн до 62.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFH8307TRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH8307TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET N-CH 30V 100A PQFN |
на замовлення 3465 шт: термін постачання 189-198 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
 |
IRFH8307TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
IRFH8307TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFH8307TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 62.79 грн |
| 13+ | 61.84 грн |
| 25+ | 60.91 грн |
| 50+ | 57.83 грн |
| 100+ | 52.70 грн |
| 250+ | 49.79 грн |
| 500+ | 48.99 грн |
| 1000+ | 48.18 грн |
| 3000+ | 47.37 грн |
| IRFH8307TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
MOSFET MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
на замовлення 3465 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
| IRFH8307TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFH8307TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)