Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8307TRPBF
IRFH8307TRPBF

IRFH8307TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh8307-datasheet-v02_06-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+87.16 грн
10+86.61 грн
25+86.05 грн
50+82.44 грн
100+75.83 грн
250+72.30 грн
500+71.81 грн
1000+71.32 грн
3000+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8307TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції IRFH8307TRPBF за ціною від 46.64 грн до 140.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012799214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+89.13 грн
500+67.82 грн
1000+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8307-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+93.27 грн
132+92.67 грн
133+92.07 грн
134+88.19 грн
250+81.11 грн
500+77.33 грн
1000+76.80 грн
3000+76.26 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH8307_DataSheet_v02_06_EN-1732588.pdf MOSFET MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
на замовлення 3465 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.47 грн
10+120.98 грн
100+84.60 грн
500+69.15 грн
1000+57.31 грн
2000+54.81 грн
4000+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012799214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.30 грн
10+115.54 грн
100+89.13 грн
500+67.82 грн
1000+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8307-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8307TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f8baa1f10 Description: MOSFET N-CH 30V 42A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f8baa1f10 Description: MOSFET N-CH 30V 42A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8307TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.