Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFH8311TRPBF

IRFH8311TRPBF

irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12
Код товару: 151197
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFH8311TRPBF за ціною від 23.85 грн до 116.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF Infineon Technologies irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12 Description: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.77 грн
8000+24.03 грн
12000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF INFINEON irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12 Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.17 грн
500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF Infineon Technologies infineonirfh8311datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
676+52.31 грн
1000+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH8311_DataSheet_v01_01_EN-3363031.pdf MOSFETs MOSFET, 30V, 50A, 2 33nC Qg, PQFN5x6
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.10 грн
10+60.39 грн
100+39.82 грн
500+32.14 грн
1000+29.25 грн
2000+27.77 грн
4000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF Infineon Technologies irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12 Description: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V
на замовлення 41664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.67 грн
10+63.60 грн
100+42.37 грн
500+31.21 грн
1000+28.45 грн
2000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF INFINEON irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12 Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.77 грн
12+73.76 грн
100+49.17 грн
500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12
IRFH8311TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+26.77 грн
8000+24.03 грн
12000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12
IRFH8311TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+49.17 грн
500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF infineonirfh8311datasheetv0101en.pdf
IRFH8311TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
676+52.31 грн
1000+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF Infineon_IRFH8311_DataSheet_v01_01_EN-3363031.pdf
IRFH8311TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET, 30V, 50A, 2 33nC Qg, PQFN5x6
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+92.10 грн
10+60.39 грн
100+39.82 грн
500+32.14 грн
1000+29.25 грн
2000+27.77 грн
4000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12
IRFH8311TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V
на замовлення 41664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+104.67 грн
10+63.60 грн
100+42.37 грн
500+31.21 грн
1000+28.45 грн
2000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12
IRFH8311TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+116.77 грн
12+73.76 грн
100+49.17 грн
500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.