Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8316TRPBF
IRFH8316TRPBF

IRFH8316TRPBF Infineon Technologies

IRFH8316PBF.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/50A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
866+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 866
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8316TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/50A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IRFH8316TRPBF за ціною від 30.30 грн до 30.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH8316TRPBF IRFH8316TRPBF Виробник : Infineon / IR irfh8316pbf-1227600.pdf MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 4.7nC Qg, PQFN5x6
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8316TRPBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS irfh8316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f9b681f14 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFH8316TRPBF - IRFH8316 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
834+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 834
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8316TRPBF IRFH8316TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8316-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8316TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8316PBF.pdf IRFH8316TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8316TRPBF IRFH8316TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRFH8316PBF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 27A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.