Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFH8318TRPBF Транзистор

IRFH8318TRPBF Транзистор

Код товару: 196964
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFH8318TRPBF Транзистор за ціною від 9.06 грн до 95.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies irfs40107ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
762+18.58 грн
854+16.57 грн
971+14.57 грн
1126+12.12 грн
1339+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies irfs40107ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.57 грн
37+20.57 грн
41+18.58 грн
100+15.98 грн
250+13.01 грн
500+10.77 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies irfh8318pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fa4111f16 Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies irfs40107ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.76 грн
8000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies irfs40107ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.90 грн
8000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies irfh8318pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fa4111f16 Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
на замовлення 14699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.98 грн
10+55.82 грн
100+36.78 грн
500+26.87 грн
1000+24.40 грн
2000+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH8318_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.39 грн
10+48.71 грн
100+30.24 грн
500+25.23 грн
1000+22.91 грн
2000+21.43 грн
4000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF Infineon irfh8318pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fa4111f16
на замовлення 428000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF irfs40107ppbf.pdf
IRFH8318TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
762+18.58 грн
854+16.57 грн
971+14.57 грн
1126+12.12 грн
1339+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF irfs40107ppbf.pdf
IRFH8318TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
34+22.57 грн
37+20.57 грн
41+18.58 грн
100+15.98 грн
250+13.01 грн
500+10.77 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF irfh8318pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fa4111f16
IRFH8318TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF irfs40107ppbf.pdf
IRFH8318TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+29.76 грн
8000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF irfs40107ppbf.pdf
IRFH8318TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+29.90 грн
8000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF irfh8318pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fa4111f16
IRFH8318TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
на замовлення 14699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.98 грн
10+55.82 грн
100+36.78 грн
500+26.87 грн
1000+24.40 грн
2000+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF Infineon_IRFH8318_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFH8318TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.39 грн
10+48.71 грн
100+30.24 грн
500+25.23 грн
1000+22.91 грн
2000+21.43 грн
4000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF irfh8318pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fa4111f16
Виробник: Infineon
на замовлення 428000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.