Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8318TRPBF
IRFH8318TRPBF

IRFH8318TRPBF Infineon Technologies

irfh8318pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fa4111f16 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8318TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFH8318TRPBF за ціною від 17.23 грн до 33.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8318-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
592+20.61 грн
602+20.29 грн
612+19.96 грн
622+18.93 грн
1000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 592
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8318-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+22.79 грн
32+22.08 грн
100+20.96 грн
250+19.10 грн
500+18.03 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8318pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fa4111f16 Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
на замовлення 23066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH8318_DataSheet_v01_01_EN-3363359.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
на замовлення 4705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.65 грн
500+24.85 грн
1000+20.48 грн
2000+19.72 грн
4000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.76 грн
500+23.05 грн
1000+20.20 грн
5000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8318-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
474+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 474
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8318-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+27.53 грн
32+26.60 грн
100+25.76 грн
500+23.05 грн
1000+20.20 грн
5000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8318-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8318-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8318-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF Виробник : Infineon irfh8318pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fa4111f16
на замовлення 428000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF Транзистор
Код товару: 196964
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8318-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8318-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.