Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8321TRPBF

IRFH8321TRPBF Infineon Technologies

Name: IRFH8321TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 44111033-3
Price: 21149.75 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V

на замовлення 1546 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
775+	27.29 грн

Мінімальне замовлення: 775

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFH8321TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 83A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IRFH8321TRPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRFH8321TRPBF	Виробник : Infineon / IR	MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 4.7nC Qg, PQFN5x6	на замовлення 3660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IRFH8321TRPBF	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.4W; PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.4W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFH8321TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFH8321TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFH8321TRPBF	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.4W; PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.4W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET®	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.