Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8321TRPBF
IRFH8321TRPBF

IRFH8321TRPBF Infineon Technologies

IRFH8321PBF.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
775+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 775
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8321TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 83A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IRFH8321TRPBF за ціною від 31.75 грн до 34.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH8321TRPBF IRFH8321TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8321-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
895+34.43 грн
1000+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 895
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8321TRPBF IRFH8321TRPBF Виробник : Infineon / IR irfh8321pbf-1228471.pdf MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 4.7nC Qg, PQFN5x6
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8321TRPBF IRFH8321TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRFH8321PBF.pdf Description: MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8321TRPBF IRFH8321TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRFH8321PBF.pdf Description: MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.