IRFH8324TR2PBF Infineon Technologies
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 673+ | 36.71 грн |
| 1000+ | 33.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH8324TR2PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IRFH8324TR2PBF за ціною від 39.52 грн до 51.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH8324TR2PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRFH8324TR2PBF Код товару: 157383
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||
 |
IRFH8324TR2PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IRFH8324TR2PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IRFH8324TR2PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 50A 4.1mOhm 15nC Qg |
товару немає в наявності |