Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8324TRPBF
IRFH8324TRPBF

IRFH8324TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
713+17.37 грн
720+17.20 грн
721+17.18 грн
722+16.55 грн
1000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8324TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFH8324TRPBF за ціною від 15.75 грн до 32.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+19.23 грн
38+18.80 грн
39+18.61 грн
100+17.77 грн
250+16.43 грн
500+15.76 грн
1000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
507+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 507
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.79 грн
500+20.52 грн
1000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1095+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 1095
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1095+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 1095
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 10387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1095+28.26 грн
10000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 1095
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH8324_DataSheet_v01_01_EN-3363188.pdf MOSFETs 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.33 грн
14+25.64 грн
100+20.62 грн
500+19.17 грн
1000+18.10 грн
2000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fb3581f1a Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.91 грн
13+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+30.41 грн
31+27.93 грн
100+25.79 грн
500+20.52 грн
1000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
380+32.61 грн
396+31.30 грн
500+30.17 грн
1000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 380
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies 90irfh8324pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies 90irfh8324pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fb3581f1a Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.