Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8324TRPBF
IRFH8324TRPBF

IRFH8324TRPBF Infineon Technologies

infineonirfh8324datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
554+25.40 грн
760+18.51 грн
767+18.32 грн
982+13.81 грн
1507+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8324TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 54W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm.

Інші пропозиції IRFH8324TRPBF за ціною від 8.00 грн до 38.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies irfh8324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fb3581f1a Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.94 грн
13+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 10387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1095+32.08 грн
10000+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 1095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1095+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 1095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1095+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 1095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies infineonirfh8324datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+37.01 грн
396+35.53 грн
500+34.24 грн
1000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies infineonirfh8324datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.78 грн
30+25.40 грн
100+17.85 грн
250+16.36 грн
500+12.27 грн
1000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH8324_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF irfh8324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fb3581f1a
IRFH8324TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.94 грн
13+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFH8324TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
507+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFH8324TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFH8324TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFH8324TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 10387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1095+32.08 грн
10000+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 1095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFH8324TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1095+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 1095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFH8324TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1095+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 1095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF infineonirfh8324datasheetv0101en.pdf
IRFH8324TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
380+37.01 грн
396+35.53 грн
500+34.24 грн
1000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF infineonirfh8324datasheetv0101en.pdf
IRFH8324TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.78 грн
30+25.40 грн
100+17.85 грн
250+16.36 грн
500+12.27 грн
1000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8324TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF Infineon_IRFH8324_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFH8324TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8324TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.