
IRFH8324TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
713+ | 17.12 грн |
720+ | 16.95 грн |
721+ | 16.93 грн |
722+ | 16.31 грн |
1000+ | 15.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH8324TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFH8324TRPBF за ціною від 15.52 грн до 32.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFH8324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH8324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH8324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH8324TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH8324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH8324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH8324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH8324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH8324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH8324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH8324TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH8324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH8324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFH8324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFH8324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
IRFH8324TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
IRFH8324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |