IRFH8324TRPBF

IRFH8324TRPBF Infineon Technologies


infineonirfh8324datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
554+25.23 грн
760+18.38 грн
767+18.20 грн
982+13.72 грн
1507+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 554
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8324TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFH8324TRPBF за ціною від 7.94 грн до 81.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fb3581f1a Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.38 грн
13+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
507+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 507
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1095+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 1095
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1095+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 1095
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 10387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1095+31.86 грн
10000+28.41 грн
Мінімальне замовлення: 1095
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfh8324datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
380+36.77 грн
396+35.29 грн
500+34.01 грн
1000+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 380
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.56 грн
500+27.50 грн
1000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfh8324datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.52 грн
30+25.23 грн
100+17.73 грн
250+16.25 грн
500+12.19 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.26 грн
16+51.36 грн
100+37.56 грн
500+27.50 грн
1000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH8324_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.94 грн
10+50.38 грн
100+32.06 грн
500+26.63 грн
1000+23.92 грн
2000+19.12 грн
4000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfh8324datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fb3581f1a Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh8324pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 23A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.