Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8324TRPBF
IRFH8324TRPBF

IRFH8324TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
617+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 617
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8324TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0033 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFH8324TRPBF за ціною від 15.73 грн до 49.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
459+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 459
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fb3581f1a Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
13+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+27.92 грн
23+26.43 грн
25+26.17 грн
100+21.66 грн
250+19.85 грн
500+18.25 грн
1000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : INFINEON irfh8324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fb3581f1a Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0033 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.06 грн
500+23.93 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH8324_DataSheet_v01_01_EN-3363188.pdf MOSFETs 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
на замовлення 3509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.14 грн
100+23.12 грн
500+19.67 грн
1000+18.20 грн
2000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
380+32.07 грн
396+30.78 грн
500+29.67 грн
1000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 380
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : INFINEON irfh8324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fb3581f1a Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0033 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.32 грн
19+43.88 грн
100+29.06 грн
500+23.93 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies 90irfh8324pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies 90irfh8324pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh8324pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 23A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fb3581f1a Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh8324pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 23A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.