IRFH8325TRPBF INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH8325TRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 54W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.
Інші пропозиції IRFH8325TRPBF за ціною від 14.94 грн до 79.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 7249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 7249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH8325TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 54W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 15nC |
на замовлення 4058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 37 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFH8325TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 32.21 грн |
| 27+ | 27.98 грн |
| 100+ | 24.15 грн |
| IRFH8325TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 430+ | 32.93 грн |
| 431+ | 32.85 грн |
| 500+ | 32.77 грн |
| 1000+ | 31.52 грн |
| 3000+ | 29.12 грн |
| 6000+ | 27.88 грн |
| IRFH8325TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 33.16 грн |
| 25+ | 33.09 грн |
| 50+ | 31.82 грн |
| 100+ | 29.40 грн |
| 250+ | 28.16 грн |
| 500+ | 28.08 грн |
| 1000+ | 28.02 грн |
| 3000+ | 27.96 грн |
| IRFH8325TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 54.44 грн |
| 24+ | 35.36 грн |
| 100+ | 26.48 грн |
| IRFH8325TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.19 грн |
| 10+ | 41.08 грн |
| IRFH8325TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 15nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 15nC
на замовлення 4058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 79.19 грн |
| 10+ | 41.58 грн |
| 100+ | 24.39 грн |
| 500+ | 21.43 грн |
| 1000+ | 19.03 грн |
| 2000+ | 16.77 грн |
| 4000+ | 14.94 грн |
| IRFH8325TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)