Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8325TRPBF
IRFH8325TRPBF

IRFH8325TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8325TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFH8325TRPBF за ціною від 10.80 грн до 58.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+15.33 грн
41+14.99 грн
100+13.95 грн
500+13.00 грн
1000+11.62 грн
2000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
755+16.14 грн
811+15.02 грн
839+14.52 грн
1000+13.51 грн
2000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 755
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 7779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+17.25 грн
36+16.81 грн
100+15.99 грн
250+14.61 грн
500+13.84 грн
1000+13.65 грн
3000+13.47 грн
6000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 7779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
673+18.10 грн
682+17.86 грн
691+17.62 грн
700+16.77 грн
1000+15.32 грн
3000+14.50 грн
6000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 673
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
639+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 639
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : INFINEON irfh8325pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fbc041f1d Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.65 грн
500+22.25 грн
1000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8325pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fbc041f1d Description: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.14 грн
13+24.31 грн
100+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH8325_DataSheet_v01_01_EN-3363078.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 15nC
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.84 грн
10+38.06 грн
100+24.00 грн
500+19.74 грн
1000+17.91 грн
2000+16.59 грн
4000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : INFINEON irfh8325pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fbc041f1d Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+58.95 грн
20+42.07 грн
100+28.65 грн
500+22.25 грн
1000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh8325pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8325pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fbc041f1d Description: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh8325pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.