Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8325TRPBF

IRFH8325TRPBF Infineon Technologies

Name: IRFH8325TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 10728747-5
Price: 12708.96 UAH
Availability: InStock

infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 2607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
957+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 957

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFH8325TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFH8325TRPBF за ціною від 12.48 грн до 71.20 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRFH8325TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	13.99 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 2607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
52+	14.22 грн

Мінімальне замовлення: 52

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 7249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
792+	16.04 грн
805+	15.79 грн
817+	15.55 грн
831+	14.75 грн
1000+	13.43 грн
3000+	12.69 грн
6000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 792

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	16.56 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 7249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
41+	17.72 грн
42+	17.45 грн
43+	17.18 грн
100+	16.32 грн
250+	14.87 грн
500+	14.04 грн
1000+	13.82 грн
3000+	13.59 грн
6000+	13.37 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	17.83 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
709+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 709

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 3530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1324+	23.99 грн

Мінімальне замовлення: 1324

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRFH8325_DataSheet_v01_01_EN-3363078.pdf

MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 15nC

на замовлення 4100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	25.96 грн
18+	20.73 грн
500+	16.77 грн
1000+	15.67 грн
2000+	14.65 грн
4000+	14.03 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012813168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	30.59 грн
500+	23.75 грн
1000+	18.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Виробник : INFINEON

на замовлення 4565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
14+	62.94 грн
20+	44.92 грн
100+	30.59 грн
500+	23.75 грн
1000+	18.61 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

irfh8325pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fbc041f1d

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	71.20 грн
10+	42.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BA7452A666F1A303005056AB0C4F&compId=irfh8325pbf.pdf?ci_sign=a76385c090eb515f3739add9718f7fb10d861c99

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.