Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8330TRPBF
IRFH8330TRPBF

IRFH8330TRPBF Infineon Technologies

2310irfh8330pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1605+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 1605 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8330TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 35W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 35W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.

Інші пропозиції IRFH8330TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFH8330TRPBF IRFH8330TRPBF Infineon / IR Infineon_IRFH8330_DataSheet_v02_02_EN-1228491.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.6mOhms 9.3nC
на замовлення 6012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF IRFH8330TRPBF INFINEON INFN-S-A0011702984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF IRFH8330TRPBF INFINEON INFN-S-A0011702984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF Infineon_IRFH8330_DataSheet_v02_02_EN-1228491.pdf
IRFH8330TRPBF
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.6mOhms 9.3nC
на замовлення 6012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF INFN-S-A0011702984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8330TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBF INFN-S-A0011702984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8330TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.