IRFH8334TRPBF

IRFH8334TRPBF Infineon Technologies


infineon-irfh8334-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
746+16.37 грн
1000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 746
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8334TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0072 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFH8334TRPBF за ціною від 9.79 грн до 43.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH8334TRPBF IRFH8334TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8334-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+17.80 грн
37+16.67 грн
100+14.03 грн
250+12.86 грн
500+10.98 грн
1000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBF IRFH8334TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8334-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
680+17.95 грн
779+15.67 грн
787+15.51 грн
885+13.30 грн
1000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 680
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBF IRFH8334TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0072 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBF IRFH8334TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH8334_DataSheet_v01_01_EN-3363108.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
на замовлення 6615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.16 грн
15+23.27 грн
100+15.89 грн
500+13.76 грн
1000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBF IRFH8334TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0072 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.78 грн
29+28.80 грн
100+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBF IRFH8334TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8334pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fcb3e1f21 Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.77 грн
13+24.14 грн
100+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBF Виробник : Infineon irfh8334pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fcb3e1f21
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBF IRFH8334TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8334-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBF IRFH8334TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8334-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBF IRFH8334TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8334-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBF IRFH8334TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8334pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fcb3e1f21 Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.