IRFH8334TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 680+ | 18.30 грн |
| 779+ | 15.97 грн |
| 787+ | 15.81 грн |
| 885+ | 13.56 грн |
| 1000+ | 11.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH8334TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFH8334TRPBF за ціною від 11.51 грн до 48.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFH8334TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 13255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH8334TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH8334TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH8334TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC |
на замовлення 6615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH8334TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH8334TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH8334TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFH8334TRPBF | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 88000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
IRFH8334TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFH8334TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFH8334TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFH8334TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |