IRFH9310TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 35.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH9310TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFH9310TRPBF за ціною від 40.34 грн до 151.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH9310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH9310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH9310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH9310TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH9310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 14944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH9310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V |
на замовлення 2525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH9310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH9310TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRFH9310TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFH9310TRPBF SMD P channel transistors |
на замовлення 3480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRFH9310TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH9310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFH9310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |