Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH9310TRPBF
IRFH9310TRPBF

IRFH9310TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH9310TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFH9310TRPBF за ціною від 37.76 грн до 156.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Infineon Technologies irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.24 грн
10+77.90 грн
100+54.50 грн
500+40.55 грн
1000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 14944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+136.72 грн
113+126.11 грн
154+92.06 грн
200+83.19 грн
500+64.82 грн
1000+56.27 грн
2000+50.71 грн
4000+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH9310_DataSheet_v01_01_EN-3363019.pdf MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF INFINEON irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF INFINEON irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF International Rectifier irfh9310pbf.pdf P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFH9310TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFH9310TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27
IRFH9310TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.24 грн
10+77.90 грн
100+54.50 грн
500+40.55 грн
1000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFH9310TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 14944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
104+136.72 грн
113+126.11 грн
154+92.06 грн
200+83.19 грн
500+64.82 грн
1000+56.27 грн
2000+50.71 грн
4000+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF Infineon_IRFH9310_DataSheet_v01_01_EN-3363019.pdf
IRFH9310TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27
IRFH9310TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27
IRFH9310TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF irfh9310pbf.pdf
Виробник: International Rectifier
P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.