IRFH9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Case: PQFN5X6
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 116.69 грн |
| 10+ | 78.73 грн |
| 50+ | 63.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc).
Інші пропозиції IRFH9310TRPBF за ціною від 37.69 грн до 156.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH9310TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH9310TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFH9310TRPBF | International Rectifier |
P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Транзистори |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRFH9310TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.67 грн |
| 10+ | 79.54 грн |
| 100+ | 55.64 грн |
| 500+ | 41.40 грн |
| 1000+ | 38.55 грн |
| IRFH9310TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC
MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.61 грн |
| 10+ | 82.49 грн |
| 100+ | 51.97 грн |
| 250+ | 51.90 грн |
| 500+ | 41.70 грн |
| 1000+ | 38.12 грн |
| 2000+ | 37.69 грн |
| IRFH9310TRPBF |
|
Виробник: International Rectifier
P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Транзистори
P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 156.00 грн |