IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 15.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFHM3911TRPBF за ціною від 14.91 грн до 80.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 30715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFHM3911TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V |
на замовлення 4676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1676000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs PLANAR 40<-<100V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |