Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFHM3911TRPBF
IRFHM3911TRPBF

IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies

infineonirfhm3911datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 29715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1259+28.09 грн
10000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 1259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.115 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm.

Інші пропозиції IRFHM3911TRPBF за ціною від 13.32 грн до 92.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies infineonirfhm3911datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies infineonirfhm3911datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies infineonirfhm3911datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 572000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+47.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies infineonirfhm3911datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.22 грн
250+69.31 грн
500+66.81 грн
1000+62.33 грн
2500+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies irfhm3911pbf.pdf MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.51 грн
10+43.20 грн
100+25.73 грн
500+19.88 грн
1000+17.97 грн
2000+16.70 грн
4000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies irfhm3911pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ff23f1f2b Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.02 грн
10+53.07 грн
100+34.67 грн
500+25.11 грн
1000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF INFINEON INFN-S-A0002297202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.115 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.92 грн
15+57.89 грн
100+37.83 грн
500+27.18 грн
1000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF infineonirfhm3911datasheeten.pdf
IRFHM3911TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF infineonirfhm3911datasheeten.pdf
IRFHM3911TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF infineonirfhm3911datasheeten.pdf
IRFHM3911TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 572000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+47.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF infineonirfhm3911datasheeten.pdf
IRFHM3911TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
196+72.22 грн
250+69.31 грн
500+66.81 грн
1000+62.33 грн
2500+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF irfhm3911pbf.pdf
IRFHM3911TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+73.51 грн
10+43.20 грн
100+25.73 грн
500+19.88 грн
1000+17.97 грн
2000+16.70 грн
4000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF irfhm3911pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ff23f1f2b
IRFHM3911TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.02 грн
10+53.07 грн
100+34.67 грн
500+25.11 грн
1000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF INFN-S-A0002297202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFHM3911TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.115 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+92.92 грн
15+57.89 грн
100+37.83 грн
500+27.18 грн
1000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.