IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 14.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFHM3911TRPBF за ціною від 16.74 грн до 115.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFHM3911TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
на замовлення 4176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
на замовлення 4176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V |
на замовлення 4676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs PLANAR 40<-<100V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFHM3911TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRFHM3911TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; PQFN8 Case: PQFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.2A Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |