Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFHM3911TRPBF
IRFHM3911TRPBF

IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies

715533653697998irfhm3911pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFHM3911TRPBF за ціною від 13.08 грн до 89.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Виробник : Infineon Technologies 715533653697998irfhm3911pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfhm3911datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 29715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1259+27.59 грн
10000+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 1259
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfhm3911datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfhm3911datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002297202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.51 грн
500+28.72 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfhm3911datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 572000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+46.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002297202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.70 грн
16+52.09 грн
100+36.51 грн
500+28.72 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfhm3911datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
196+70.93 грн
250+68.08 грн
500+65.62 грн
1000+61.22 грн
2500+55.00 грн
Мінімальне замовлення: 196
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfhm3911pbf.pdf MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.20 грн
10+42.43 грн
100+25.27 грн
500+19.52 грн
1000+17.65 грн
2000+16.41 грн
4000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfhm3911pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ff23f1f2b Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.32 грн
10+45.82 грн
100+29.95 грн
500+21.70 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Виробник : Infineon Technologies 715533653697998irfhm3911pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1676000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+84.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Виробник : Infineon Technologies 715533653697998irfhm3911pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
155+89.74 грн
243+57.23 грн
500+39.08 грн
1000+35.72 грн
2000+27.70 грн
4000+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfhm3911datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Виробник : Infineon Technologies 715533653697998irfhm3911pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF IRFHM3911TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfhm3911pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ff23f1f2b Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.