IRFHM4234TRPBF International Rectifier
Виробник: International RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 770+ | 25.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFHM4234TRPBF International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V.
Інші пропозиції IRFHM4234TRPBF за ціною від 39.17 грн до 40.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFHM4234TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IRFHM4234TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A |
на замовлення 4394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |