IRFHM792TRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 35.56 грн |
| 500+ | 29.9 грн |
| 1000+ | 24.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFHM792TRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції IRFHM792TRPBF за ціною від 24.52 грн до 93.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFHM792TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFHM792TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET |
на замовлення 20418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFHM792TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRFHM792TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
товар відсутній |