IRFHM830DTR2PBF
Код товару: 48693
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFHM830DTR2PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFHM830DTR2PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1797 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFHM830DTR2PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1797 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1797 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.