Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFHM830TRPBF
IRFHM830TRPBF

IRFHM830TRPBF Infineon Technologies

irfhm830pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562334f61f47
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFHM830TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 2.7W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm.

Інші пропозиції IRFHM830TRPBF за ціною від 23.47 грн до 107.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
731+48.37 грн
Мінімальне замовлення: 731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFHM830_DataSheet_v02_04_EN-3363340.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.26 грн
100+39.31 грн
500+27.56 грн
1000+25.51 грн
2000+23.96 грн
4000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.37 грн
17+44.50 грн
25+41.84 грн
50+38.33 грн
100+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+75.09 грн
246+57.62 грн
277+51.08 грн
308+44.42 грн
500+38.60 грн
1000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF INFINEON 2332322.pdf Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.25 грн
13+65.04 грн
100+51.72 грн
500+36.80 грн
1000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Infineon Technologies irfhm830pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562334f61f47 Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V
на замовлення 7703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.05 грн
10+65.06 грн
100+43.19 грн
500+31.73 грн
1000+28.90 грн
2000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF irfs4127pbf.pdf
IRFHM830TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
731+48.37 грн
Мінімальне замовлення: 731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF Infineon_IRFHM830_DataSheet_v02_04_EN-3363340.pdf
IRFHM830TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+49.26 грн
100+39.31 грн
500+27.56 грн
1000+25.51 грн
2000+23.96 грн
4000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF irfs4127pbf.pdf
IRFHM830TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+49.37 грн
17+44.50 грн
25+41.84 грн
50+38.33 грн
100+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF irfs4127pbf.pdf
IRFHM830TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
189+75.09 грн
246+57.62 грн
277+51.08 грн
308+44.42 грн
500+38.60 грн
1000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF 2332322.pdf
IRFHM830TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+105.25 грн
13+65.04 грн
100+51.72 грн
500+36.80 грн
1000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF irfhm830pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562334f61f47
IRFHM830TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V
на замовлення 7703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+107.05 грн
10+65.06 грн
100+43.19 грн
500+31.73 грн
1000+28.90 грн
2000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF irfs4127pbf.pdf
IRFHM830TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.