IRFHM830TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFHM830TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 2.7W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm.
Інші пропозиції IRFHM830TRPBF за ціною від 25.74 грн до 103.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 3860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V |
на замовлення 7703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFHM830TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 2.7W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms |
на замовлення 1029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFHM830TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 731+ | 48.05 грн |
| IRFHM830TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 49.04 грн |
| 17+ | 44.21 грн |
| 25+ | 41.56 грн |
| 50+ | 38.08 грн |
| 100+ | 34.10 грн |
| IRFHM830TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 189+ | 74.59 грн |
| 246+ | 57.24 грн |
| 277+ | 50.74 грн |
| 308+ | 44.12 грн |
| 500+ | 38.34 грн |
| 1000+ | 33.88 грн |
| IRFHM830TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V
на замовлення 7703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 103.91 грн |
| 10+ | 63.15 грн |
| 100+ | 41.92 грн |
| 500+ | 30.80 грн |
| 1000+ | 28.05 грн |
| 2000+ | 25.74 грн |
| IRFHM830TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFHM830TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFHM830TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)