Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFHM830TRPBF

IRFHM830TRPBF Infineon Technologies

Name: IRFHM830TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 20477255-5
Price: 91640.00 UAH
Availability: InStock

infineon-irfhm830-datasheet-v02_04-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	22.91 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFHM830TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFHM830TRPBF за ціною від 20.07 грн до 111.23 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRFHM830TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
510+	23.96 грн

Мінімальне замовлення: 510

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	24.36 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	25.15 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 6353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
463+	26.36 грн
477+	25.61 грн
482+	25.35 грн
491+	24.01 грн
492+	22.17 грн
512+	20.43 грн
1000+	20.31 грн
3000+	20.18 грн
6000+	20.07 грн

Мінімальне замовлення: 463

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

irfhm830pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562334f61f47

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	26.60 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 6353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
25+	28.25 грн
26+	27.44 грн
50+	26.19 грн
100+	23.82 грн
250+	22.80 грн
500+	21.89 грн
1000+	21.76 грн
3000+	21.63 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
731+	41.73 грн
1000+	38.48 грн
10000+	34.31 грн

Мінімальне замовлення: 731

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
731+	41.73 грн

Мінімальне замовлення: 731

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
731+	41.73 грн
1000+	38.48 грн

Мінімальне замовлення: 731

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 11591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
731+	41.73 грн
1000+	38.48 грн
10000+	34.31 грн

Мінімальне замовлення: 731

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	43.66 грн
22+	39.99 грн
100+	36.06 грн
500+	25.55 грн
1000+	22.04 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRFHM830_DataSheet_v02_04_EN-3363340.pdf

MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms

на замовлення 1029 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	53.23 грн
100+	42.48 грн
500+	29.78 грн
1000+	27.57 грн
2000+	25.90 грн
4000+	25.36 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V

на замовлення 7703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	111.23 грн
10+	67.60 грн
100+	44.87 грн
500+	32.97 грн
1000+	30.03 грн
2000+	27.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BBBE0D2352F1A303005056AB0C4F&compId=irfhm830pbf.pdf?ci_sign=7760142d87f380f048badd1b91634d932e827dd0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.