Технічний опис IRFHM831TRPBF Infineon
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA, Supplier Device Package: PQFN (3x3), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFHM831TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFHM831TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFHM831TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


