Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFHM8326TRPBF
IRFHM8326TRPBF

IRFHM8326TRPBF Infineon Technologies

irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.77 грн
10+37.01 грн
100+25.62 грн
500+20.09 грн
1000+17.10 грн
2000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFHM8326TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IRFHM8326TRPBF за ціною від 14.86 грн до 47.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFHM8326TRPBF IRFHM8326TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfhm8326pbf-1228322.pdf MOSFET 30V Fet 25A 4.7mOhm 20nC PQFN3 BTRY
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.89 грн
10+41.12 грн
100+24.79 грн
500+20.75 грн
1000+17.66 грн
2000+15.74 грн
4000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBF IRFHM8326TRPBF Виробник : Infineon Technologies 715561525782954irfhm8326pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBF IRFHM8326TRPBF Виробник : Infineon Technologies 715561525782954irfhm8326pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBF IRFHM8326TRPBF Виробник : Infineon Technologies 715561525782954irfhm8326pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b IRFHM8326TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBF IRFHM8326TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.