IRFHM8326TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1340+ | 26.63 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1340 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFHM8326TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IRFHM8326TRPBF за ціною від 13.18 грн до 42.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies |
 MOSFET 30V Fet 25A 4.7mOhm 20nC PQFN3 BTRY |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 115-124 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V |
на замовлення 3490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFHM8326TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 30V Fet 25A 4.7mOhm 20nC PQFN3 BTRY
MOSFET 30V Fet 25A 4.7mOhm 20nC PQFN3 BTRY
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 115-124 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.47 грн |
| 10+ | 36.46 грн |
| 100+ | 21.98 грн |
| 500+ | 18.40 грн |
| 1000+ | 15.66 грн |
| 2000+ | 13.96 грн |
| 4000+ | 13.18 грн |
| IRFHM8326TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.52 грн |
| 10+ | 35.95 грн |
| 100+ | 24.89 грн |
| 500+ | 19.51 грн |
| 1000+ | 16.61 грн |
| 2000+ | 14.79 грн |