Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFHM8326TRPBF
IRFHM8326TRPBF

IRFHM8326TRPBF Infineon Technologies

irfhm8326pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1340+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 1340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFHM8326TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IRFHM8326TRPBF за ціною від 14.11 грн до 45.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFHM8326TRPBF IRFHM8326TRPBF Infineon Technologies irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.21 грн
10+36.54 грн
100+25.29 грн
500+19.83 грн
1000+16.88 грн
2000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBF IRFHM8326TRPBF Infineon Technologies irfhm8326pbf-1228322.pdf MOSFET 30V Fet 25A 4.7mOhm 20nC PQFN3 BTRY
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
8+45.46 грн
10+39.03 грн
100+23.53 грн
500+19.69 грн
1000+16.76 грн
2000+14.94 грн
4000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBF irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b
IRFHM8326TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+43.21 грн
10+36.54 грн
100+25.29 грн
500+19.83 грн
1000+16.88 грн
2000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBF irfhm8326pbf-1228322.pdf
IRFHM8326TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 30V Fet 25A 4.7mOhm 20nC PQFN3 BTRY
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
КількістьЦіна
8+45.46 грн
10+39.03 грн
100+23.53 грн
500+19.69 грн
1000+16.76 грн
2000+14.94 грн
4000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.