Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFHM8326TRPBFXTMA1
IRFHM8326TRPBFXTMA1

IRFHM8326TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+72.95 грн
10+44.13 грн
100+28.78 грн
500+20.81 грн
1000+18.81 грн
2000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFHM8326TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH .

Інші пропозиції IRFHM8326TRPBFXTMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFHM8326TRPBFXTMA1 IRFHM8326TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b Description: TRENCH <= 40V
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 IRFHM8326TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irfhm8326pbf-1228322.pdf MOSFETs Y
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b
IRFHM8326TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 irfhm8326pbf-1228322.pdf
IRFHM8326TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Y
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.