Продукція > INFINEON > IRFHM8326TRPBFXTMA1
IRFHM8326TRPBFXTMA1

IRFHM8326TRPBFXTMA1 INFINEON


2333711.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.19 грн
500+13.56 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFHM8326TRPBFXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFHM8326TRPBFXTMA1 за ціною від 12.24 грн до 90.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFHM8326TRPBFXTMA1 IRFHM8326TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON 2333711.pdf Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+16.26 грн
53+15.68 грн
100+15.19 грн
500+13.56 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 IRFHM8326TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.21 грн
10+44.29 грн
100+28.88 грн
500+20.88 грн
1000+18.88 грн
2000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b IRFHM8326TRPBFXTMA1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+90.69 грн
216+56.64 грн
331+36.91 грн
332+35.49 грн
500+25.42 грн
1000+22.05 грн
2000+20.04 грн
4000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b IRFHM8326TRPBFXTMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 IRFHM8326TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM8326TRPBFXTMA1 IRFHM8326TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irfhm8326pbf-1228322.pdf MOSFETs Y
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.