Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFHM8329TRPBF

IRFHM8329TRPBF Infineon Technologies

Name: IRFHM8329TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 73709014-3
Price: 10219.2 UAH
Availability: InStock

irfhm8329pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356234f3d1f4d

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
480+	21.29 грн

Мінімальне замовлення: 480

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFHM8329TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA, Supplier Device Package: PQFN (3x3), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IRFHM8329TRPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRFHM8329TRPBF	Виробник : Infineon / IR	MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 3nC Qg, PQFN 3.3x3.3	на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IRFHM8329TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFHM8329TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFHM8329TRPBF	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	IRFHM8329TRPBF SMD N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFHM8329TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFHM8329TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.