Технічний опис IRFHM9331TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFHM9331TRPBF за ціною від 15.77 грн до 67.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 2962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 14.6mOhms 16nC |
на замовлення 4807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IRFHM9331TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFHM9331TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 23.71 грн |
| IRFHM9331TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 580+ | 24.42 грн |
| 643+ | 22.02 грн |
| IRFHM9331TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 26.56 грн |
| 8000+ | 25.20 грн |
| IRFHM9331TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 26.57 грн |
| 8000+ | 25.21 грн |
| IRFHM9331TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 436+ | 32.49 грн |
| 454+ | 31.18 грн |
| 500+ | 30.06 грн |
| IRFHM9331TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 425+ | 33.33 грн |
| 484+ | 29.25 грн |
| 494+ | 28.64 грн |
| 591+ | 23.09 грн |
| IRFHM9331TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.42 грн |
| 10+ | 40.52 грн |
| 100+ | 26.46 грн |
| 500+ | 19.15 грн |
| 1000+ | 17.31 грн |
| 2000+ | 15.77 грн |
| IRFHM9331TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 14.6mOhms 16nC
MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 14.6mOhms 16nC
на замовлення 4807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFHM9331TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFHM9331TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFHM9331TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)