Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFHM9331TRPBF

IRFHM9331TRPBF Infineon Technologies

Name: IRFHM9331TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 345858-7
Price: 60240.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	15.06 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFHM9331TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFHM9331TRPBF за ціною від 17.33 грн до 74.09 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRFHM9331TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

infineon-irfhm9331-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	20.31 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFHM9331TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	21.39 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFHM9331TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 1305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
580+	22.03 грн
643+	19.86 грн

Мінімальне замовлення: 580

В кошику од. на суму грн.

IRFHM9331TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	23.97 грн
8000+	22.75 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFHM9331TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	25.67 грн
8000+	24.36 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFHM9331TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
436+	29.31 грн
454+	28.13 грн
500+	27.12 грн

Мінімальне замовлення: 436

В кошику од. на суму грн.

IRFHM9331TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
425+	30.07 грн
484+	26.39 грн
494+	25.83 грн
591+	20.83 грн

Мінімальне замовлення: 425

В кошику од. на суму грн.

IRFHM9331TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	38.24 грн
250+	31.35 грн
1000+	22.47 грн
2000+	18.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRFHM9331TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRFHM9331_DataSheet_v01_01_EN-3363151.pdf

MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 14.6mOhms 16nC

на замовлення 4807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	58.69 грн
10+	42.01 грн
25+	32.20 грн
100+	28.03 грн
250+	26.85 грн
500+	21.89 грн
1000+	20.31 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IRFHM9331TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	59.79 грн
50+	38.24 грн
250+	31.35 грн
1000+	22.47 грн
2000+	18.85 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IRFHM9331TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

irfhm9331pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356237f7e1f59

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	74.09 грн
10+	44.53 грн
100+	29.08 грн
500+	21.04 грн
1000+	19.03 грн
2000+	17.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRFHM9331TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM9331TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

IRFHM9331TRPBF SMD P channel transistors

на замовлення 1545 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	69.52 грн
54+	21.55 грн
149+	20.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRFHM9331TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM9331TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.