IRFHS8242TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 8.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFHS8242TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.01 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.
Інші пропозиції IRFHS8242TRPBF за ціною від 9.96 грн до 35.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFHS8242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHS8242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHS8242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHS8242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFHS8242TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.01 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
на замовлення 2814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHS8242TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.01 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
на замовлення 2814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFHS8242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 4.3nC |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFHS8242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V |
на замовлення 4341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHS8242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFHS8242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFHS8242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFHS8242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFHS8242TRPBF SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IRFHS8242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V |
товар відсутній |