IRFHS8342TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 9.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFHS8342TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFHS8342TRPBF за ціною від 10.62 грн до 56.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFHS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFHS8342TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHS8342TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFHS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 4.2nC |
на замовлення 3417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFHS8342TRPBF Код товару: 180301
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRFHS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFHS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRFHS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRFHS8342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 9.9A; 2.1W; PQFN2X2 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 9.9A Power dissipation: 2.1W Case: PQFN2X2 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |