IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 13.48 грн |
| 8000+ | 12.64 грн |
| 12000+ | 12.01 грн |
| 20000+ | 11.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 2.1W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm.
Інші пропозиції IRFHS9301TRPBF за ціною від 14.65 грн до 57.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V |
на замовлення 22252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC |
на замовлення 28042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IRFHS9301TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm |
на замовлення 27455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRFHS9301TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2 - 1 Jahr Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm |
на замовлення 27455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFHS9301TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 18.90 грн |
| IRFHS9301TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 21.96 грн |
| 8000+ | 21.39 грн |
| 12000+ | 20.33 грн |
| IRFHS9301TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 21.97 грн |
| 8000+ | 21.40 грн |
| 12000+ | 20.34 грн |
| IRFHS9301TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
на замовлення 22252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.37 грн |
| 10+ | 32.68 грн |
| 100+ | 24.75 грн |
| 500+ | 17.85 грн |
| 1000+ | 15.42 грн |
| 2000+ | 14.65 грн |
| IRFHS9301TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 248+ | 57.36 грн |
| 345+ | 41.11 грн |
| 434+ | 32.70 грн |
| 500+ | 30.16 грн |
| 1000+ | 25.30 грн |
| IRFHS9301TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC
MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC
на замовлення 28042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFHS9301TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 27455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFHS9301TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 27455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)