IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 12.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.03 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFHS9301TRPBF за ціною від 11.94 грн до 54.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFHS9301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFHS9301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHS9301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHS9301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFHS9301TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.03 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 33510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHS9301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHS9301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V |
на замовлення 22252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFHS9301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC |
на замовлення 28042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHS9301TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.03 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 33510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHS9301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFHS9301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |