Технічний опис IRFHS9351TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції IRFHS9351TRPBF за ціною від 15.31 грн до 85.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 10667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFNPart Status: Active Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.4W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX |
на замовлення 6267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFHS9351TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFHS9351TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFHS9351TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 21.41 грн |
| IRFHS9351TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 21.44 грн |
| 2000+ | 20.44 грн |
| IRFHS9351TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 21.44 грн |
| 8000+ | 20.00 грн |
| IRFHS9351TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1430+ | 24.57 грн |
| IRFHS9351TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1430+ | 24.57 грн |
| 10000+ | 21.91 грн |
| IRFHS9351TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 27.45 грн |
| IRFHS9351TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.51 грн |
| 10+ | 41.29 грн |
| 100+ | 26.94 грн |
| 500+ | 19.49 грн |
| 1000+ | 15.82 грн |
| 2000+ | 15.31 грн |
| IRFHS9351TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 165+ | 85.42 грн |
| 261+ | 53.95 грн |
| 500+ | 35.68 грн |
| 1000+ | 32.60 грн |
| IRFHS9351TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
MOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
на замовлення 6267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFHS9351TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFHS9351TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






