Продукція > INFINEON > IRFHS9351TRPBF
IRFHS9351TRPBF

IRFHS9351TRPBF INFINEON

irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+48.76 грн
250+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFHS9351TRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFHS9351TRPBF за ціною від 13.04 грн до 78.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF Infineon Technologies irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.57 грн
10+42.53 грн
100+27.75 грн
500+20.08 грн
1000+16.30 грн
2000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFHS9351_DataSheet_v01_01_EN-3363166.pdf MOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
на замовлення 6267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.53 грн
10+43.61 грн
100+25.73 грн
500+19.74 грн
1000+15.65 грн
2500+14.17 грн
4000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF INFINEON irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63 Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.94 грн
50+48.76 грн
250+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBF irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63
IRFHS9351TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+70.57 грн
10+42.53 грн
100+27.75 грн
500+20.08 грн
1000+16.30 грн
2000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBF Infineon_IRFHS9351_DataSheet_v01_01_EN-3363166.pdf
IRFHS9351TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
на замовлення 6267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+72.53 грн
10+43.61 грн
100+25.73 грн
500+19.74 грн
1000+15.65 грн
2500+14.17 грн
4000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBF irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63
IRFHS9351TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+78.94 грн
50+48.76 грн
250+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.