
IRFI1310NPBF Infineon Technologies
на замовлення 14858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 44.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI1310NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFI1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.036 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFI1310NPBF за ціною від 47.03 грн до 169.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFI1310NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI1310NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI1310NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI1310NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI1310NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI1310NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
на замовлення 4382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI1310NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI1310NPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI1310NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRFI1310NPBF Код товару: 182563
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRFI1310NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFI1310NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFI1310NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFI1310NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFI1310NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFI1310NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |