
IRFI3205PBF Infineon Technologies
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 52.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI3205PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFI3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.008 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFI3205PBF за ціною від 57.22 грн до 276.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 113.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 113.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
на замовлення 5837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IRFI3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |