IRFI4019H-117P

IRFI4019H-117P Infineon / IR


irfi4019h-117p-1732734.pdf Виробник: Infineon / IR
MOSFET 150V 2 x N-CH 8.7A for Digital Audio
на замовлення 1754 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFI4019H-117P Infineon / IR

Description: MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 18W, Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak.

Інші пропозиції IRFI4019H-117P за ціною від 92.97 грн до 92.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFI4019H-117P Виробник : International Rectifier irfi4019h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623d74d1f6f 2xN-MOSFET 8.7A 150V 18W 0.095Ω IRFI4019H-117P TO220/5Qiso TIRFI4019h-117p
кількість в упаковці: 26 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+92.97 грн
Мінімальне замовлення: 26
IRFI4019H-117P irfi4019h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623d74d1f6f IRFI4019H-117P Транзисторы Digital
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFI4019H-117P IRFI4019H-117P
Код товару: 45751
irfi4019h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623d74d1f6f Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFI4019H-117P IRFI4019H-117P Виробник : Infineon Technologies irfi4019h-117p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 8.7A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IRFI4019H-117P IRFI4019H-117P Виробник : Infineon Technologies irfi4019h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623d74d1f6f Description: MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
товар відсутній