Інші пропозиції IRFI4020H-117PXKMA1 за ціною від 155.58 грн до 156.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFI4020H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin(5+Tab) TO-220FB Tube |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFI4020H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin(5+Tab) TO-220FB Tube |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFI4020H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin(5+Tab) TO-220FB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFI4020H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 10195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFI4020H-117PXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI4020H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 200 V, 9.1 A, 9.1 A, 0.08 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm Verlustleistung, p-Kanal: 21W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 21W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFI4020H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin(5+Tab) TO-220FB Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFI4020H-117PXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin(5+Tab) TO-220FB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin(5+Tab) TO-220FB Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 228+ | 155.58 грн |
| IRFI4020H-117PXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin(5+Tab) TO-220FB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin(5+Tab) TO-220FB Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 228+ | 155.58 грн |
| IRFI4020H-117PXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin(5+Tab) TO-220FB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin(5+Tab) TO-220FB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 156.01 грн |
| IRFI4020H-117PXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 10195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFI4020H-117PXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4020H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 200 V, 9.1 A, 9.1 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFI4020H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 200 V, 9.1 A, 9.1 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFI4020H-117PXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin(5+Tab) TO-220FB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin(5+Tab) TO-220FB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






