IRFI4110GPBF Infineon Technologies
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1923+ | 133.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI4110GPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFI4110GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 0.0045 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 61W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFI4110GPBF за ціною від 100.91 грн до 232.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFI4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFI4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9540 pF @ 50 V |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 18203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFI4110GPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI4110GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 0.0045 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFI4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 9999A |
на замовлення 2732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IRFI4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFI4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9540 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |