Технічний опис IRFI4212H-117P
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 18W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції IRFI4212H-117P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRFI4212H-117P Код товару: 34541 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 11 A Ciss, pF/Qg, nC: 490/12 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||
IRFI4212H-117P | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||
IRFI4212H-117P | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-5 Full Pack Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 18W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
||
IRFI4212H-117P | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL NCh 100V 11A 5-Pin |
товар відсутній |