IRFI4212H-117P

IRFI4212H-117P


irfi4212h-117p-73065.pdf
Код товару: 34541
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 11 A
Ciss, pF/Qg, nC: 490/12
Монтаж: THT
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFI4212H-117P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFI4212H-117P irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a IRFI4212H-117P Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117P Виробник : International Rectifier irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117P IRFI4212H-117P Виробник : Infineon Technologies irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117P IRFI4212H-117P Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFI4212H_117P_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL NCh 100V 11A 5-Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117P IRFI4212H-117P Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfi4212h-117p.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 11A; 18W; TO220FP-5
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 18W
Case: TO220FP-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.