Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFI4212H-117PXKMA1
IRFI4212H-117PXKMA1

IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies

irfs74377ppbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
160+87.96 грн
162+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 18W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 18W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFI4212H-117PXKMA1 за ціною від 69.41 грн до 260.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies irfs74377ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+91.81 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies irfs74377ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.29 грн
10+87.96 грн
25+87.08 грн
100+69.41 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 18W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Packaging: Tube
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.17 грн
50+125.10 грн
100+112.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies irfs74377ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117PXKMA1 INFINEON 516939.pdf Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 18W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 18W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFI4212H_117P_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 irfs74377ppbf.pdf
IRFI4212H-117PXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
154+91.81 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 irfs74377ppbf.pdf
IRFI4212H-117PXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+118.29 грн
10+87.96 грн
25+87.08 грн
100+69.41 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a
IRFI4212H-117PXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 18W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Packaging: Tube
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.17 грн
50+125.10 грн
100+112.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 irfs74377ppbf.pdf
IRFI4212H-117PXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 516939.pdf
IRFI4212H-117PXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 18W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 18W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon_IRFI4212H_117P_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFI4212H-117PXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.