Технічний опис IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 18W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 18W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFI4212H-117PXKMA1 за ціною від 53.28 грн до 207.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 18W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Packaging: Tube Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) |
на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRFI4212H-117PXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm Verlustleistung, p-Kanal: 18W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 18W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 18W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Packaging: Tube
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 18W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Packaging: Tube
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.29 грн |
| 50+ | 61.50 грн |
| 100+ | 61.03 грн |
| 500+ | 55.65 грн |
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 119.09 грн |
| 10+ | 88.55 грн |
| 25+ | 87.66 грн |
| 100+ | 64.23 грн |
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 160.35 грн |
| 10+ | 96.46 грн |
| 100+ | 64.28 грн |
| 500+ | 53.28 грн |
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 18W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 18W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 18W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 18W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 193.24 грн |
| 10+ | 98.68 грн |
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 69+ | 207.98 грн |
| 122+ | 116.28 грн |
| 134+ | 106.10 грн |
| 500+ | 72.94 грн |