IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 160+ | 89.14 грн |
| 162+ | 88.25 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
160 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 18W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 18W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFI4212H-117PXKMA1 за ціною від 64.37 грн до 228.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRFI4212H-117PXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5 Mounting: THT Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 7W Gate charge: 12nC Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET Drain current: 6.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220-5 On-state resistance: 58mΩ |
на замовлення 950 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 18W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak Part Status: Active |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
на замовлення 1176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
IRFI4212H-117PXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm Verlustleistung, p-Kanal: 18W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 18W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 154+ | 93.04 грн |
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 119.88 грн |
| 10+ | 89.14 грн |
| 25+ | 88.25 грн |
| 100+ | 70.34 грн |
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Mounting: THT
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 7W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Drain current: 6.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-5
On-state resistance: 58mΩ
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Mounting: THT
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 7W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Drain current: 6.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-5
On-state resistance: 58mΩ
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 173.31 грн |
| 10+ | 132.87 грн |
| 14+ | 67.67 грн |
| 39+ | 64.37 грн |
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Part Status: Active
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 228.31 грн |
| 10+ | 142.61 грн |
| 50+ | 109.53 грн |
| 100+ | 92.78 грн |
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 18W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 18W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 18W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 18W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)