IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 312+ | 39.83 грн |
| 330+ | 37.61 грн |
| 341+ | 35.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 18W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 18W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFI4212H-117PXKMA1 за ціною від 33.43 грн до 122.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFI4212H-117PXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFI4212H-117PXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFI4212H-117PXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFI4212H-117PXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFI4212H-117PXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFI4212H-117PXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFI4212H-117PXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFI4212H-117PXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5Packaging: Tube Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 18W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak Part Status: Active |
на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFI4212H-117PXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 1354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFI4212H-117PXKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm Verlustleistung, p-Kanal: 18W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 18W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFI4212H-117PXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Audio MOSFET |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFI4212H-117PXKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5 Mounting: THT Case: TO220-5 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC On-state resistance: 58mΩ Drain current: 6.8A Power dissipation: 7W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 44A Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET Type of transistor: N-MOSFET x2 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFI4212H-117PXKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5 Mounting: THT Case: TO220-5 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC On-state resistance: 58mΩ Drain current: 6.8A Power dissipation: 7W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 44A Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET Type of transistor: N-MOSFET x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFI4212H-117PXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |


