IRFI4229PBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesIRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
на замовлення 7855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 120.38 грн |
| 10+ | 111.85 грн |
| 25+ | 110.69 грн |
| 100+ | 105.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI4229PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFI4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 19 A, 0.038 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm.
Інші пропозиції IRFI4229PBF за ціною від 108.55 грн до 283.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFI4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com |
на замовлення 7855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFI4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 250V 19A 46mOhm 73nC |
на замовлення 3959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFI4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFI4229PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 19 A, 0.038 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFI4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IRFI4229PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 19A Power dissipation: 46W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRFI4229PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 19A Power dissipation: 46W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |