Результат пошуку "irfi4321" : 10
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFI4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 34A Power dissipation: 46W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFI4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 34A Power dissipation: 46W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFI4321PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 50 V |
на замовлення 10399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFI4321PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFI4321PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFI4321PBF | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFI4321 | Infineon / IR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IRFI4321PBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IRFI4321PBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRFI4321PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 150.97 грн |
7+ | 132.58 грн |
19+ | 124.91 грн |
100+ | 118.78 грн |
IRFI4321PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 204.01 грн |
3+ | 188.13 грн |
7+ | 159.09 грн |
19+ | 149.90 грн |
100+ | 142.54 грн |
IRFI4321PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 50 V
на замовлення 10399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 138.47 грн |
50+ | 94.50 грн |
100+ | 93.46 грн |
500+ | 82.11 грн |
IRFI4321PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 34A 16mOhm 73nC
MOSFETs MOSFT 150V 34A 16mOhm 73nC
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 155.35 грн |
25+ | 110.83 грн |
100+ | 94.90 грн |
500+ | 94.17 грн |
IRFI4321PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4321PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 34 A, 0.0122 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFI4321PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 34 A, 0.0122 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 226.13 грн |
10+ | 183.21 грн |
100+ | 113.06 грн |
500+ | 95.03 грн |
IRFI4321PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 150V; 30V; 16mOhm; 34A; 46W; -55°C ~ 150°C; IRFI4321PBF Infineon TIRFI4321
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 150V; 30V; 16mOhm; 34A; 46W; -55°C ~ 150°C; IRFI4321PBF Infineon TIRFI4321
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 163.74 грн |
IRFI4321PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFI4321PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.