IRFI4410ZPBF


infineon-irfi4410z-ds-en.pdf
Код товару: 54322
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFI4410ZPBF за ціною від 77.53 грн до 289.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfi4410zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFI4410ZPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+165.37 грн
10+130.65 грн
50+123.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRFI4410Z_DS_v01_02_EN-1732106.pdf MOSFETs MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.75 грн
10+100.51 грн
100+81.05 грн
500+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF INFINEON INFN-S-A0003068005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFI4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 7900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.45 грн
10+197.35 грн
100+142.26 грн
500+103.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4410ZPBF infineonirfi4410zdsv0102en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
155+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+165.37 грн
10+130.65 грн
50+123.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4410ZPBF Infineon_IRFI4410Z_DS_v01_02_EN-1732106.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+167.75 грн
10+100.51 грн
100+81.05 грн
500+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4410ZPBF INFN-S-A0003068005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 7900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+289.45 грн
10+197.35 грн
100+142.26 грн
500+103.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.