IRFI4410ZPBF
Код товару: 54322
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFI4410ZPBF за ціною від 72.26 грн до 285.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFI4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 1312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFI4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFI4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFI4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFI4410ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Power dissipation: 47W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 975 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFI4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFI4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFI4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFI4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFI4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFI4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFI4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFI4410ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 7900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFI4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRFI4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |