IRFI520N International Rectifier
Виробник: International RectifierN-MOSFET 7.6A 100V 30W 0.2Ω IRFI520N TIRFI520N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 25.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI520N International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220AB FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFI520N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFI520N | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |