IRFI530N International Rectifier


Infineon-IRFI530N-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535624411f1f8c Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 12A 100V 41W 0.011Ω IRFI530N TIRFI530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 189 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFI530N International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFI530N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFI530N IRFI530N Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFI530N-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535624411f1f8c Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товар відсутній