IRFI830G Vishay
Код товару: 77935
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Vishay
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/38
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFI830G за ціною від 53.01 грн до 53.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFI830G | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 500V 3.1A 35W IRFI830G Vishay TIRFI830g кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRFI830G |
N-CH 500 V 3.1 A 1.5 Om to-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IRFI830G | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRFI830G | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI |
товару немає в наявності |