
IRFIZ44NPBF Infineon Technologies
на замовлення 6393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 32.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIZ44NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFIZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFIZ44NPBF за ціною від 37.60 грн до 159.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 28A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 43.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 28A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 43.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 249 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ44NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |