IRFIZ46N International Rectifier
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 55V 33A 45W IRFIZ46N Infineon TIRFIZ46n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 36.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIZ46N International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO220AB FP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 19A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRFIZ46N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFIZ46N | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO220AB FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFIZ46N |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.