IRFIZ46N International Rectifier

N-MOSFET 55V 33A 45W IRFIZ46N Infineon TIRFIZ46n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 35.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIZ46N International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO220AB FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFIZ46N
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFIZ46N | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |